技术编号:12129645
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种电子元件及其制作方法,且特别是有关于一种半导体元件及其制作方法。背景技术在现有的太阳能电池技术中,通过异质结技术(HeterojunctionTechnology,HJT)所形成的具有异质结(HeterojunctionwithIntrinsicThin-Layer,HIT)的异质结太阳能电池主要是通过具有不同能带的半导体材料所结合而成。异质结太阳能电池不但具有较高的光电转换效率及较好的温度特性,通过不同能带的结合的异质结还可以减少太阳能电池中自由载流子的损耗。因此,异质结太阳...
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