技术编号：12132844
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种用于TD-LTE的高增益CMOS低噪声放大器技术领域本发明涉及射频低噪声放大器的技术领域，尤其涉及一种TD-LTE系统Band38(D频段，2570～2620MHz)和Band40(E频段，2300-2400MHz)的CMOS低噪声放大器。背景技术随着通信技术的飞速发展，以及用户对无线通信终端的性能要求不断提高，以WCDMA为核心的3G通信已无法满足用户对海量数据的需求。从2010年国际电信联盟无线通信部门确立具有我国自主知识产权的TD-LTE(时分长期演变)作为4G国际标准以来，国内无线通...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。