技术编号:12159688
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。芯片电容器及其制造方法本申请是申请日为2012年12月26日、申请号为201280055496.1、发明名称为“芯片电容器及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。技术领域本发明涉及芯片电容器及其制造方法。背景技术专利文献1公开了一种激光微调电容器,其在基底基板的表面隔着内部电极而形成电介质层,并在该电介质层上与所述内部电极对置地形成有可通过激光微调的上部电极。上部电极的一部分通过激光而被去除,由此,电极间的静电电容调整为期望的值。先行技术文献专利文献专利文献1:JP特开2001-284166号公...
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