技术编号:12180374
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2015年9月2日提交的申请号为10-2015-0124370的韩国专利申请的优先权,其全部公开内容通过引用整体地并入本文。技术领域本公开涉及半导体器件及其制造方法,具体地说,涉及包括三维布置的存储单元的半导体器件及其制造方法。背景技术半导体器件可以包括存储块。存储块每个可以包括将数据储存在其中的存储单元。为了提高存储单元的集成度,存储单元可以具有三维布置。关于这一点,存储块层叠可以包括交替的垂直层间绝缘膜和导电图案。另外,存储单元分别连接到导电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。