技术编号：12180375
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法，例如能够合适地利用于具有非易失性存储器单元的半导体装置。背景技术作为非易失性存储器的1种，有时使用包括使用MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor，金属氧化物氮氧化物半导体)膜的分栅型单元的存储器单元。此时，存储器单元包括具有控制栅极电极的控制晶体管以及具有存储器栅极电极的存储器晶体管这2个MISFET。例如，在专利文献1(美国专利第7847343号说明书)中，公开了在凸型基板上形成有存储器栅极的分栅构...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。