技术编号:12180524
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于量子点LED封装技术领域,更具体地,涉及一种高导热量子点薄膜的制备方法。背景技术LED(LightEmittingDiode)是一种电致发光的半导体发光器件,具有使用寿命长、环保节能、高显色系数、电光转换效率高、体积小、高可靠性等优点。由于LED独特的优越性,在许多领域得到了广泛应用和迅速发展,被业界认为是最有前景和重要性的下一代固体照明光源,具有巨大的市场潜力。基于半导体量子点(QD)的量子点LED器件具有色彩饱和、纯度高、单色性佳、颜色可调、以及可采用简单的溶液制备方法获得并可大规...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。