技术编号:12191508
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于防止静电放电的半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求发明人DavidMarreiro、YupengChen、StevenM.Etter和UmeshSharma的提交于2015年9月15日的以及标题为“SemiconductorDevicesandMethods”的临时美国申请62/219119的优先权,通过引用将该申请合并入本文。技术领域本实用新型涉及半导体器件,更具体地涉及用于防止静电放电的半导体器件。背景技术当使带电物体非常接近于不带电或者带相反电荷的器件时,常常发生静电放电(ESD),...
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