技术编号：12251371
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种非补偿n-p共掺杂的ZnO薄膜及其制备方法技术领域本发明涉及半导体纳米材料的制备方法，特别涉及一种非补偿n-p共掺杂ZnO薄膜及其制备方法。背景技术ZnO是一种重要的新型直接带隙宽禁带半导体化合物材料，具有很好的化学稳定性和热稳定性，同时也具有压电、热电、气敏、光电等多种优异的性能，是最受关注的氧化物半导体材料之一。由于ZnO在室温下有着大的禁带宽度和高的激子束缚能，易于在室温或更高温度下实现高效率的激光发射，因此成为制备半导体激光器(LD)、发光二极管(LED)等半导体发光器件的理想材料。...
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