技术编号:12251524
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜制备技术领域,涉及一种金属有机源化学气相沉积(MOCVD)所用的气体反应腔,可用于YBCO超导带材的制备,具体为一种用于MOCVD制备YBCO带材的气体反应腔。背景技术金属有机化合物化学气相沉积,其英文名称为Metal-organicChemicalVaporDe7position,缩写为MOCVD,是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术,是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物以及Ⅴ、Ⅵ族元素的氢化物等作为气相沉积的源材料,通过扩散、气相反应以及表面化学反应,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。