技术编号：12254024
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种应用于晶圆片外延生长工艺中的石墨行星盘。背景技术MOCVD设备的行星式旋转式反应室，在外延生长时，利用衬底的自传加公转在整个衬底表面上实现均匀的生长速度。同时，流过反应室的总气体流速和衬底表面温度也起这至关重要的作用。但是，在实际生长过程中，衬底表面的温度会受到衬底的翘曲、不同生长材料受温度影响不同等因素的影响，往往实际生长完成后，外延片波长的均匀性不是很好。因此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种石墨行星...
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