石墨行星盘的制作方法

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种应用于晶圆片外延生长工艺中的石墨行星盘。

背景技术：

MOCVD设备的行星式旋转式反应室，在外延生长时，利用衬底的自传加公转在整个衬底表面上实现均匀的生长速度。同时，流过反应室的总气体流速和衬底表面温度也起这至关重要的作用。但是，在实际生长过程中，衬底表面的温度会受到衬底的翘曲、不同生长材料受温度影响不同等因素的影响，往往实际生长完成后，外延片波长的均匀性不是很好。

因此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种石墨行星盘，以克服现有技术中存在的不足。

为实现上述实用新型目的，本实用新型提供一种石墨行星盘，其包括载物平台；

所述载物平台的表面设置有温度补偿区域，靠近所述载物平台的边缘设置有凹槽结构，所述温度补偿区域与所述载物平台的表面具有高度差，所述温度补偿区域的高度低于所述载物平台的表面的高度，所述温度补偿区域与载物平台上生长的衬底的高温区域一一对应。

作为本实用新型的石墨行星盘的改进，所述温度补偿区域包括第一温度补偿区和第二温度补偿区，所述第一温度补偿区和第二温度补偿区分别靠近所述载物平台两端设置，且所述第一温度补偿区和第二温度补偿区位置对称。

作为本实用新型的石墨行星盘的改进，所述第一温度补偿区和第二温度补偿区的面积和深度保持一致。

作为本实用新型的石墨行星盘的改进，所述第一温度补偿区和第二温度补偿区的深度小于所述凹槽结构的深度。

作为本实用新型的石墨行星盘的改进，所述温度补偿区域包括第三温度补偿区域，所述第三温度补偿区域位于所述载物平台的中心区域。

作为本实用新型的石墨行星盘的改进，所述第三温度补偿区域的深度大于所述凹槽结构的深度。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型的石墨行星盘能够优化了外延片波长均匀性，提高了外延片的利用率。具体地，本实用新型的石墨行星盘在反应室气流相对稳定的情况下，通过设置温度补偿区域，对衬底表面不同区域进行温度补偿，以达到生长材料波长的一致性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为应用本实用新型的石墨行星盘一具体实施方式的平面示意图；

图2为应用本实用新型的石墨行星盘另一具体实施方式的平面示意图。

具体实施方式

下面结合附图所示的各实施方式对本实用新型进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本实用新型的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本实用新型的保护范围之内。

本实用新型的石墨行星盘的原理为：在实际生长过程中，在石墨盘载物平台不变的情况下，衬底表面的温度变化会随生长材料的不同而产生变化。本实用新型的石墨行星盘结合具体材料在生长时，根据衬底表面温度的分布规律，通过机械加工的方式，降低对应高温区域的载物平台高度，降低对应区域衬底表面温度，以达到衬底整个面温度的均匀性，进而实现生长材料波长的一致性。

具体地，如图1所示，本实用新型的石墨行星盘包括：载物平台10；

其中，所述载物平台10的表面设置有温度补偿区域11，靠近所述载物平台10的边缘设置有凹槽结构12，所述温度补偿区域11位于所述凹槽结构12之间。所述温度补偿区域与所述载物平台10的表面具有高度差，所述温度补偿区域的高度低于所述载物平台10的表面的高度，所述温度补偿区域与载物平台10上生长的衬底的高温区域一一对应。

如图1所示，作为一种实施方式，所述温度补偿区域11包括第一温度补偿区110和第二温度补偿区111，其中，第一温度补偿区110和第二温度补偿区111分别对应生长的衬底的第一高温区域和第二高温区域。具体地，所述第一温度补偿区110和第二温度补偿区111分别靠近所述载物平台10两端设置，且所述第一温度补偿区110和第二温度补偿区111位置对称。此外，所述第一温度补偿区和第二温度补偿区的面积和深度均保持一致。同时，所述第一温度补偿区110和第二温度补偿区111的深度小于所述凹槽结构12的深度。

如图2所示，作为另一种实施方式，所述温度补偿区域包括第三温度补偿区域112，其中，所述第三温度补偿区域112对应生长的衬底的第三高温区域。具体地，所述第三温度补偿区域112位于所述载物平台10的中心区域。同时，所述第三温度补偿区域112的深度大于所述凹槽结构12的深度。

综上所述，本实用新型的石墨行星盘能够优化了外延片波长均匀性，提高了外延片的利用率。具体地，本实用新型的石墨行星盘在反应室气流相对稳定的情况下，通过设置温度补偿区域，对衬底表面不同区域进行温度补偿，以达到生长材料波长的一致性。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。