技术编号：12274780
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有多层III-V族异质结构的半导体结构技术领域本发明一般涉及在器件中使用来自元素周期表中第III及V族半导体材料。更具体地说，本发明涉及在源极/漏极区中使用III-V族材料异质结构，使得宽的能带隙(bandgap)的III-V族层组合或向上渐变到具有相对窄的能带隙的另一III-V族材料。背景技术当半导体器件不断缩小，通过晶体管的沟道的有效电流将面临几个瓶颈。其中最关键的瓶颈之一是非本征电阻(extrinsicresistance)，当驱动电流通过器件的沟道以外的连接区(accessregion...
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