技术编号：12275111
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，具体是一种自由集电极纵向PNP管及其制备方法。背景技术纵向PNP管是以P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直方向运动的，故称为纵向PNP管。这种管子的基区可准确的控制使其很薄，因此它的电流放大系数较大。但由于传统纵向PNP管工艺结构的特点，其集电极必须接到电路中电位的最低点，使其在电路中的连接位置受限，因而限制了它的应用。而采用N阱CMOS技术结合双外延方法实现的自由集电...
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