技术编号:12285575
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及III族氮化物结晶的制造方法及III族氮化物结晶制造装置。背景技术氮化镓(GaN)等III族氮化物半导体(也称为III族氮化物化合物半导体或者GaN类半导体等)作为激光二极管(LD)、发光二极管(LED)等各种半导体元件的材料被广泛应用。例如,发出蓝光的激光二极管(LD)被应用于高密度光盘或显示器;发出蓝光的发光二极管(LED)被应用于显示器或照明等。另外,期待紫外线LD在生物技术等的应用,期待紫外线LD作为荧光灯的紫外线源。作为用于制造III族氮化物(例如GaN)结晶基板的通常方法,...
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