技术编号:12288706
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。含硫薄膜发明背景发明领域本发明总体上涉及半导体装置制造领域并且更具体地说,涉及金属硫化物膜以及如通过原子层沉积(“ALD”)工艺形成含硫薄膜的方法。例如,金属硫化物膜如MgS膜可通过ALD工艺形成并且可充当衬底与介电层之间的界面层。相关技术的描述在致力于不断提高高-k金属栅技术的性能中,半导体工业关注高迁移率衬底材料,如锗,其展现期望的空穴迁移率;和III-V族材料,其展现期望的电子迁移率。合适的III-V族材料包括例如GaAs、InP、InGaAs、InAs及GaSb。然而,这些新的沟道材料可...
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