技术编号:12288713
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。制造不同掺杂的半导体的方法本发明涉及制造不同掺杂的半导体的方法、可通过该方法获得的半导体及其用途。各种用途需要掺杂的半导体层,例如在光电池中。光电池基于借助入射光在半导体中生成自由载流子。为了电利用这些载流子(分离电子和空穴),需要半导体中的p-n结。通常,使用硅作为半导体。此处所用的硅片通常具有基区掺杂(Grunddotierung),例如用硼掺杂(p型)。通常,通过磷(n型掺杂剂)在大约900℃的温度下从气相向内扩散制造p-n结。这两种半导体类型(p和n)都与金属接点接触以提取相应的载流子。...
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