技术编号:12356209
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功能材料技术领域,具体涉及一种针状ZnO纳米薄膜的制备方法。背景技术ZnO是一种优良的半导体材料,室温下能带带隙为3.37eV,激子束缚能60meV,加上其具有各方面的优异性能且制作成本低廉,是目前公认的优良半导体材料,被广泛应用于光电器件、压电器件、光催化、透明薄膜晶体管等诸多领域。已有的研究表明,ZnO的物理化学性能与其形貌、晶粒尺度以及维度等因素密切相关。纳米棒、纳米针等一维ZnO材料,由于宽禁带、长径比大、尖端尖锐等特点使其成为最重要的场发射材料。目前,纳米氧化锌的制备方法已有...
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