技术编号:12364733
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种基于电荷俘获-释放机制的电路PBTI老化建模方法技术领域本发明属于纳米集成电路技术领域,具体涉及一种基于电荷俘获-释放机制的电路PBTI老化建模方法。背景技术随着纳米集成电路技术的不断提高,工艺尺寸不断减小,影响电路老化的物理效应日益明显,严重降低纳米集成电路的寿命。其中,偏置温度不稳定性是带给电路可靠性严重挑战的主要因素之一。BTI效应是指集成电路晶体管正向偏置状态下,其阈值电压Vth随温度和偏置时间的增加而升高,BTI效应又可以分为导致PMOS晶体管中阈值电压绝对值增高的负偏置温度不稳定...
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