技术编号:12369566
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,更具体地说,涉及一种微纳机电开关及其制造方法。背景技术互补金属氧化物半导体(CMOS)的出现为半导体行业的发展提供了强大的动力,在制作微型化、快速、低成本的电子产品方面取得了巨大的成功。随着大规模集成电路的发展,CMOS晶体管的特征尺寸进入纳米级别,CMOS正面临巨大的发展瓶颈,栅极泄漏、短沟道效应、PN结泄漏等极大地阻碍了集成电路的进一步发展。但与此同时,微纳机电开关的出现在很大程度上弥补了半导体开关的不足。微纳机电开关具有体积小、速度快、功耗低等特点,由于物...
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