技术编号:12369638
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于蚀刻基板的ICP等离子体蚀刻装置、降低污染的方法以及用于该类型等离子体蚀刻装置的保护结构。背景技术等离子体蚀刻广泛地用于处理各种基板,诸如半导体晶片。等离子体蚀刻工艺可为构成处理工序的一部分的一个步骤工艺。例如,在半导体工业中,熟知的是,在后续金属沉积步骤之前,通过溅射蚀刻工艺来去除晶片表面的材料。该溅射蚀刻工艺典型地利用氩等离子体来进行。目的是为了确保产生低接触电阻的高质量金属/金属界面。溅射蚀刻步骤典型地在预清洁的组件中进行。在操作中,据观察,延长的蚀刻可能导致再沉积的颗粒...
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