技术编号:12370289
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种薄膜晶体管及其的制造方法。背景技术薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)已被广泛应用于显示领域作为开关组件使用。根据薄膜晶体管工作时的起始电流(OnCurrent,Ion)的计算公式:Ion=0.5×μ×(W/L)×(Vgh-Vth)2,其中,μ是电子迁移率(ElectronMobility),W是通道宽度,Vgh是栅极驱动开启电压(GateDriverTurn-onVoltage),Vth是临界电压(ThresholdVoltage)。可以看出,在Vgh和Vt...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。