技术编号：12370296
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置。背景技术当前，例如，如日本特开2007-5368号公报所公开，对IGBT或功率MOSFET等电力用半导体装置正在进行研究开发。该公报涉及的半导体装置是在由硅等形成的半导体衬底之上依次层叠AlSi层、Ni层以及焊料层而形成的。为了设置焊料层而需要焊料浸润性良好的Ni层。出于进行镀Ni的目的而设置有AlSi等Al类的层，具体地在该公报的例如0007段等处提及了Al类的层的必要性。专利文献1：日本特开2007-5368号公报对电力进行处理的功率半导体元件的与其动作相伴的发热量...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。