技术编号:12370377
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体技术领域,特别涉及一种T型槽栅MOSFET。背景技术由于在大功率驱动电路中受驱动电路中的各种寄生参数、功率MOS管栅电容等的影响,驱动信号会出现不确定的振荡,栅极振荡会大大影响系统的性能稳定。在器件设计过程中,栅极电阻越大栅极振荡越小,栅漏电容越小栅振荡越小。而功率MOS管的EMI特性和功率管的开关特性存在折中关系,所以在设计中常常需要同时考虑器件的各个参数以获得最优的开关特性和抗EMI能力。目前提出的RSO结构和split-gateRSO结构都已经减小栅漏电容。功率器件在动...
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