技术编号:12370389
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种降低低压TrenchDMOS导通电阻的制造方法技术领域本发明涉及一种半导体器件的制造方法,尤其是一种降低低压TrenchDMOS(沟槽型双扩散金属氧化物半导体)的导通电阻的制造方法,属于半导体器件的制造技术领域。背景技术在半导体器件领域,MOS器件采用Rdson参数来定义导通电阻,Rdson是器件特性最重要的参数。MOS器件一直处于导通的状态很容易发热,且慢慢升高的结温会导致RDSON增加,这样会增加器件的功率损耗,影响器件性能。目前,TrenchDMOS(沟槽型双扩散金属氧化物半导体)器件...
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