技术编号:12370437
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种多晶硅电容及制造方法。背景技术多晶硅电容是由低电阻的多晶硅作为上下两层极板,氧化硅或者氮化硅作为绝缘介质形成的三层结构电容。现有技术中,多晶硅电容的制造过程为:先生长低电阻的多晶硅下极板,再生长中间的氧化硅或者氮化硅绝缘层,最后生长低电阻的多晶硅上极板。然而,现有技术中,在多晶硅电容的制造过程中,需要生长三层的极板,使得多晶硅电容的制造时间长,制造成本高,得到的多晶硅电容的厚度大。发明内容本发明提供一种多晶硅电容及制造方法,用于解决现有技术中多晶硅电容的制造...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。