技术编号:12400501
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料领域,涉及一种连三吡咯并吡咯二酮聚合物及其合成方法与应用。背景技术有机场效应晶体管(Organicfield-effecttransistors,简称OFETs)是一种电压控制器件,它通过栅极电压调控源-漏电极间电流大小,有机半导体活性层是该器件的核心部分。其半导体层可以选用有机共轭小分子和共轭聚合物。与无机场效应晶体管(半导体层是无机物,如单晶硅)相比,有机场效应晶体管具有器件制备工艺简单,可大面积溶液法打印加工,可制备柔性器件等优点。因此,有机场效应晶体管受到了人们的广泛关注,...
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