技术编号:12415756
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属石墨烯薄膜制备技术领域,特别是涉及一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法。背景技术自2004年两位在俄罗斯出生的科学家AndreGeim和KonstantinNovoselov发表第一篇有关石墨烯的论文后,石墨烯在科学界激起了巨大的波澜,它的出现有望在现代电子科技领域引发新一轮革命。石墨烯具备很多优越的性能,例如高透光率、高电子迁移率、高电流密度、高机械强度、易于修饰等等。正因为这些特性,它被公认为制造透明导电薄膜、高频晶体管、储氢电池,乃至集成电路的理想材料,具有广阔的市场应用前景。制备石...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。