技术编号:12416739
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,尤其是第三代Ⅲ族氮化物半导体的制备技术领域,具体地说是一种用于晶体生长的调节反应釜及其控制方法。背景技术氮化镓(GaN)作为第三代Ⅲ族氮化物半导体,属于宽带隙半导体材料(~3.4eV),在光电子器件等诸多应用领域中,厚膜GaN作为同质外延衬底将对器件性能提高起到巨大的推动作用。目前GaN晶体厚膜的研制方法,主要是金属有机化学气相沉积法(MOCVD)、氢化物气相外延法(HVPE)、分子束外延法(MBE)等。气相生长法得到的氮化镓晶体位错密度较大,而传统的制备硅(Si)、砷化镓(G...
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