技术编号：12458216
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，特别涉及晶圆的化学气相沉淀腔。背景技术低压化学气相沉淀是指将沉淀腔中抽成低压状态，将反应气体置入沉淀腔中，反应气体扩散至沉淀腔中的晶圆表面，在晶圆表面附近的反应区发生反应形成薄膜。现有的低压化学沉淀腔的结构设计不合理，反应气体不能均匀的扩散至晶圆表面，导致形成的薄膜厚度不均匀。发明内容针对现有技术存在的上述问题，申请人进行研究及改进，提供一种内外喷气式低压化学气相沉淀腔。为了解决上述问题，本发明采用如下方案：一种内外喷气式低压化学气相沉淀腔，包括腔体，所述腔体中内置有导...
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