本发明涉及半导体技术领域，特别涉及晶圆的化学气相沉淀腔。
背景技术：
低压化学气相沉淀是指将沉淀腔中抽成低压状态，将反应气体置入沉淀腔中，反应气体扩散至沉淀腔中的晶圆表面，在晶圆表面附近的反应区发生反应形成薄膜。现有的低压化学沉淀腔的结构设计不合理，反应气体不能均匀的扩散至晶圆表面，导致形成的薄膜厚度不均匀。
技术实现要素：
针对现有技术存在的上述问题，申请人进行研究及改进，提供一种内外喷气式低压化学气相沉淀腔。
为了解决上述问题，本发明采用如下方案：
一种内外喷气式低压化学气相沉淀腔，包括腔体，所述腔体中内置有导气结构及用于支撑晶圆的支撑结构，所述导气结构为一环形腔套，所述环形腔套的内壁安装有多根径向设置的外导气管，所述支撑结构包括一支撑管，所述支撑管轴向设置于所述环形腔套中，所述支撑管的周壁上借助卡夹夹持晶圆，支撑管中轴承设有内导气管，所述内导气管与所述支撑管之间设有多根导管，所述导管的出气端置于相邻的卡夹之间。
本发明的技术效果在于：
本发明采用环状形的导气结构及置于该导气结构中的支撑管，支撑管采用放射方式固定晶圆，大大降低晶圆的支撑体积，减小整个沉淀腔的体积，并采用内外导气结构，提高反应气体与晶圆的接触均匀度。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图中：1、腔体；2、支撑结构；3、导气结构；4、外导气管；5、卡夹；6、晶圆；7、内导气管；8、导管。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明。
如图1所示，本实施例的内外喷气式低压化学气相沉淀腔，包括腔体1，腔体1中内置有导气结构3及用于支撑晶圆的支撑结构2，导气结构3为一环形腔套，环形腔套的内壁安装有多根径向设置的外导气管4，支撑结构2包括一支撑管，支撑管轴向设置于环形腔套中，支撑管的周壁上借助卡夹5夹持晶圆6，支撑管中轴承设有内导气管7，内导气管7与支撑管之间设有多根导管8，导管8的出气端置于相邻的卡夹5之间。
使用时，将反应气体通入从环形腔套及内导气管7中导入至腔体1中，反应气体从外导气管4及导管8中导出，即从晶圆6的内外端导入至其表面，提高导入效率及均匀度。
以上所举实施例为本发明的较佳实施方式，仅用来方便说明本发明，并非对本发明作任何形式上的限制，任何所属技术领域中具有通常知识者，若在不脱离本发明所提技术特征的范围内，利用本发明所揭示技术内容所作出局部改动或修饰的等效实施例，并且未脱离本发明的技术特征内容，均仍属于本发明技术特征的范围内。