一种化学气相成膜机台的制作方法
【专利摘要】一种化学气相成膜机台，包括：工艺腔室，所述工艺腔室用于半导体器件之制备工艺；工艺气体进气管路，所述工艺气体进气管路通过第一过滤器与所述工艺腔室连接；清洁气体进气管路，所述清洁气体进气管路通过第二过滤器与所述工艺腔室连接，并在所述清洁气体进气管路执行清洁程式时，所述工艺气体进气管路为正压。本实用新型化学气相成膜机台通过在所述清洁气体进气管路执行清洁程式时，保证所述工艺气体进气管路为正压，不仅可有效避免所述清洁气体之颗粒物回流至工艺气体进气管路，并停留在工艺气体进气管路上的第一过滤器内，消除工艺气体将颗粒物带入腔体内造成颗粒物缺陷的可能，而且不影响清洁比率，提高产品良率。
【专利说明】
_种化学气)相成膜机台
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种化学气相成膜机台。【背景技术】
[0002]对于化学气相成膜机台之Producer机型的跑货方式，每种工艺过程开始前、过程中及结束后，机台都将触发相应的清洁程式，以将腔体内残留的薄膜清理干净，再形成一层对应的薄膜来稳定腔体环境。通常地，清洁气体和工艺气体均由厂务端供应，在进入腔体前按照硬件设置，经过不同的气体面板进行混合后流入腔体。
[0003]但是，由于清洁气体和工艺气体通过的气体面板不同，当进行清理程式时，工艺气体之气体面板处于负压状态，导致清洁气体之颗粒物回流至工艺气体管路，并停留在工艺气体管路上的过滤器内，在长期积累后，由工艺气体带入腔体内，产生颗粒物缺陷。
[0004]寻求一种使用方便、程式简单，并可有效避免颗粒物缺陷的化学气相成膜机台已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。
[0005]故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本实用新型一种化学气相成膜机台。【实用新型内容】[00〇6]本实用新型是针对现有技术中，传统化学气相成膜机台之Producer机型由于清洁气体和工艺气体通过的气体面板不同，当进行清理程式时，工艺气体之气体面板处于负压状态，导致清洁气体之颗粒物回流至工艺气体管路，并停留在工艺气体管路上的过滤器内， 在长期积累后，由工艺气体带入腔体内，产生颗粒物缺陷等提供一种化学气相成膜机台。
[0007]为实现本实用新型之目的，本实用新型提供一种化学气相成膜机台，所述化学气相成膜机台，包括:工艺腔室，所述工艺腔室用于半导体器件之制备工艺；工艺气体进气管路，所述工艺气体进气管路通过第一过滤器与所述工艺腔室连接;清洁气体进气管路，所述清洁气体进气管路通过第二过滤器与所述工艺腔室连接，并在所述清洁气体进气管路执行清洁程式时，所述工艺气体进气管路为正压。
[0008]可选地，在所述清洁气体进气管路执行清洁程式时，所述工艺气体进气管路为正压，所述清洁气体进气管路之颗粒物未进入所述工艺气体进气管路及所述第一过滤器处。
[0009]可选地，所述工艺气体进气管路通过气体供应管与气体供应端连接，并在位于所述工艺气体进气管路和所述气体供应端之间的气体供应管上设置第一气体混合面板。 [〇〇1〇]可选地，所述清洁气体进气管路通过气体供应管与气体供应端连接，并在位于所述清洁气体进气管路和所述气体供应端之间的气体供应管上设置第二气体混合面板。
[0011]可选地，所述清洁程式执行时，在清洁程式之菜单中增加与所述第一气体混合面板连接的气体供应管内之惰性气体流量。
[0012]可选地，所述惰性气体为所述工艺腔室内之制程工艺载气的其中之一。
[0013]可选地，所述工艺腔室内设置用于反应气体流入的喷头。
[0014]可选地，所述工艺腔室内通过射频发生器形成高频或者低频的射频。
[0015]综上所述，本实用新型化学气相成膜机台通过在所述清洁气体进气管路执行清洁程式时，保证所述工艺气体进气管路为正压，不仅可有效避免所述清洁气体之颗粒物回流至工艺气体进气管路，并停留在工艺气体进气管路上的第一过滤器内，消除工艺气体将颗粒物带入腔体内造成颗粒物缺陷的可能，而且不影响清洁比率，提高产品良率。【附图说明】
[0016]图1所示为本发明化学气相成膜机台之结构示意图；[〇〇17]图2所示为本发明化学气相成膜机台之工艺气体进气管路和清洁气体进气管路的结构示意图。【具体实施方式】
[0018]为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。[0〇19]对于化学气相成膜机台之Producer机型的跑货方式，每种工艺过程开始前、过程中及结束后，机台都将触发相应的清洁程式，以将腔体内残留的薄膜清理干净，再形成一层对应的薄膜来稳定腔体环境。通常地，清洁气体和工艺气体均由厂务端供应，在进入腔体前按照硬件设置，经过不同的气体面板进行混合后流入腔体。
[0020]但是，由于清洁气体和工艺气体通过的气体面板不同，当进行清理程式时，工艺气体之气体面板处于负压状态，导致清洁气体之颗粒物回流至工艺气体管路，并停留在工艺气体管路上的过滤器内，在长期积累后，由工艺气体带入腔体内，产生颗粒物缺陷。
[0021]请参阅图1、图2,图1所示为本发明化学气相成膜机台之结构示意图。图2所示为本发明化学气相成膜机台之工艺气体进气管路和清洁气体进气管路的结构示意图。所述化学气相成膜机台1，包括:工艺腔室11，所述工艺腔室11用于半导体器件10之制备工艺;工艺气体进气管路12,所述工艺气体进气管路12通过第一过滤器121与所述工艺腔室11连接;清洁气体进气管路13,所述清洁气体进气管路13通过第二过滤器131与所述工艺腔室11连接，并在所述清洁气体进气管路13执行清洁程式时，所述工艺气体进气管路12为正压。
[0022]显然地，本实用新型化学气相成膜机台1在所述清洁气体进气管路13执行清洁程式时，所述工艺气体进气管路12为正压，即可有效避免所述清洁气体之颗粒物回流至工艺气体进气管路12,并停留在工艺气体进气管路12上的第一过滤器121内，消除工艺气体将颗粒物带入工艺腔室11内造成颗粒物缺陷的可能。即，在所述清洁气体进气管路13执行清洁程式时，所述工艺气体进气管路12为正压，所述清洁气体进气管路13之颗粒物未进入所述工艺气体进气管路12及所述第一过滤器121处。
[0023]作为具体地实施方式，所述工艺气体进气管路12通过气体供应管14与气体供应端 15连接，并在位于所述工艺气体进气管路12和所述气体供应端15之间的气体供应管14上设置第一气体混合面板16。所述清洁气体进气管路13通过气体供应管14与气体供应端15连接，并在位于所述清洁气体进气管路13和所述气体供应端15之间的气体供应管14上设置第二气体混合面板17。所述工艺腔室11内设置用于反应气体流入的喷头18。所述工艺腔室11 内通过射频发生器19形成高频或者低频的射频。
[0024]为了更好的实现本实用新型之有益效果，以保证所述清洁气体进气管路13执行清洁程式时，所述工艺气体进气管路12为正压，优选地，所述清洁程式执行时，在清洁程式之菜单中增加与所述第一气体混合面板16连接的气体供应管14内之惰性气体流量。更具体地，所述惰性气体为所述工艺腔室11内之制程工艺载气的其中之一。
[0025]综上所述，本实用新型化学气相成膜机台通过在所述清洁气体进气管路执行清洁程式时，保证所述工艺气体进气管路为正压，不仅可有效避免所述清洁气体之颗粒物回流至工艺气体进气管路，并停留在工艺气体进气管路上的第一过滤器内，消除工艺气体将颗粒物带入腔体内造成颗粒物缺陷的可能，而且不影响清洁比率，提高产品良率。
[0026]本领域技术人员均应了解，在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，可以对本实用新型进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本实用新型涵盖这些修改和变型。
【主权项】
1.一种化学气相成膜机台，其特征在于，所述化学气相成膜机台，包括:工艺腔室，所述工艺腔室用于半导体器件之制备工艺；工艺气体进气管路，所述工艺气体进气管路通过第一过滤器与所述工艺腔室连接；清洁气体进气管路，所述清洁气体进气管路通过第二过滤器与所述工艺腔室连接，并 在所述清洁气体进气管路执行清洁程式时，所述工艺气体进气管路为正压。2.如权利要求1所述的化学气相成膜机台，其特征在于，在所述清洁气体进气管路执行 清洁程式时，所述工艺气体进气管路为正压，所述清洁气体进气管路之颗粒物未进入所述 工艺气体进气管路及所述第一过滤器处。3.如权利要求1所述的化学气相成膜机台，其特征在于，所述工艺气体进气管路通过气 体供应管与气体供应端连接，并在位于所述工艺气体进气管路和所述气体供应端之间的气 体供应管上设置第一气体混合面板。4.如权利要求3所述的化学气相成膜机台，其特征在于，所述清洁程式执行时，在清洁 程式之菜单中增加与所述第一气体混合面板连接的气体供应管内之惰性气体流量。5.如权利要求4所述的化学气相成膜机台，其特征在于，所述惰性气体为所述工艺腔室 内之制程工艺载气的其中之一。6.如权利要求1所述的化学气相成膜机台，其特征在于，所述清洁气体进气管路通过气 体供应管与气体供应端连接，并在位于所述清洁气体进气管路和所述气体供应端之间的气 体供应管上设置第二气体混合面板。7.如权利要求1所述的化学气相成膜机台，其特征在于，所述工艺腔室内设置用于反应 气体流入的喷头。8.如权利要求1所述的化学气相成膜机台，其特征在于，所述工艺腔室内通过射频发 生器形成高频或者低频的射频。
【文档编号】C23C16/455GK205669065SQ201620283550
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2016年4月7日
【发明人】谢素兰, 许隽
【申请人】上海华力微电子有限公司