技术编号：12473786
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体装置的金属化。更具体地说，本发明涉及在后段制程(BackEndoftheLine，BEOL)金属化期间改善铜晶种覆盖。背景技术随着装置的缩小，金属化变得更加挑战，尤其在该装置特征(feature)上充分的铜晶种覆盖变得至关重要。不连续的铜晶种覆盖导致不良的镀铜与“铜线间隙”。一个试图解决方案采用牺牲的氮化硅层，其在形成铜阻挡层与铜晶种层前使用稀氢氟酸移除。此效果可降低整体的介电质高度以改善在该特征上的铜晶种覆盖。然而，虽然改善了金属化缺陷，牺牲的氮化硅本身可能引入其他缺陷并可...
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