技术编号:12473934
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法以及显示装置。背景技术LTPS(LowTemperaturePoly-silicon)阵列基板中,半导体多晶硅(Poly-Si)层与栅极绝缘层GI(SiOx/SiNx),尤其是与GI层中的氧化物SiOx之间的界面(也就是半导体多晶硅的沟道层与栅极绝缘层连接的表面)对LTPS器件特性影响较大,若界面缺陷多,界面就会存在大量悬空键,悬空键会将电子束缚住会导致所需功耗也会增大。一般的可以通过氢化的方法来减少悬空键数量,业界...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。