技术编号：12474190
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于垂直式半导体元件结构及其制造方法。背景技术晶体管是现代集成电路的关键部件。为了满足日益加快的开关速率的需求，晶体管的驱动电流需要日益升高。同时，晶体管的栅极长度被不断地按比例缩小。按比例缩小栅极长度导致被称为「短通道效应」的不良效应，此效应使栅极对电流流动的控制被折中。短通道效应包括漏极引致能障下降(drain-inducedbarrierlowering,DIBL)和亚临界斜率的退化，此两者都会导致晶体管的效能降级。多栅极晶体管架构的使用可藉由改良对通道上栅极的静电控制来帮助减轻短...
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