技术编号:12478101
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于快速评估快恢复二极管性能的基座,属于半导体技术领域。背景技术快恢复二极管(FastRecoveryDiode,FRD)是近年来问世的新型半导体功率器件,具有开关特性好、反向恢复时间短、正向电流大、反向耐压大、体积小、安装简便等优点。目前快恢复二极管开发时参数评估需要对快恢复二极管芯片进行封装,常见的封装形式有单管和模块。由于模块封装成本高且评估测试时需要特定的夹具,因此快恢复二极管开发时对开发样品常采用单管封装形式。单管封装无法对面积较大快恢复二极管芯片进行封装,且少量的开发样...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。