用于快速评估快恢复二极管性能的基座的制作方法

本发明涉及一种用于快速评估快恢复二极管性能的基座，属于半导体技术领域。

背景技术：

快恢复二极管（Fast Recovery Diode，FRD）是近年来问世的新型半导体功率器件，具有开关特性好、反向恢复时间短、正向电流大、反向耐压大、体积小、安装简便等优点。

目前快恢复二极管开发时参数评估需要对快恢复二极管芯片进行封装，常见的封装形式有单管和模块。由于模块封装成本高且评估测试时需要特定的夹具，因此快恢复二极管开发时对开发样品常采用单管封装形式。单管封装无法对面积较大快恢复二极管芯片进行封装，且少量的开发样品封装所需的周期较长且封装费用较高，严重影响了快恢复二极管的开发周期和开发成本。

快恢复二极管的静态和动态性能评估时，只需将快恢复二极管芯片固定在框架上就能进行测试评估，目前单管的金属框架各管脚之间在贴片和打线之后为短路的，需要完成整个封装工序后才能将各管脚开路固定。

技术实现要素：

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种用于快速评估快恢复二极管性能的基座，通过该基座可以对快恢复二极管芯片直接贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。

按照本发明提供的技术方案，本发明涉及一种用于快速评估快恢复二极管性能的基座，其特征是：包括耐高温硬质绝缘固定框架，在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入一个阳极金属引线框架和阴极金属引线框架，阳极金属引线框架在阴极金属引线框架左侧，阳极金属引线框架和阴极金属引线框架之间保持一定的距离；所述阳极金属引线框架的部分表面、阴极金属引线框架的部分表面以及耐高温硬质绝缘固定框架的部分表面在同一平面上，该平面为二极管芯片的贴片平面；所述阳极金属引线框架和阴极金属引线框架各有部分露出与耐高温硬质绝缘固定框架之外，分别形成阳极管脚和阴极管脚，阳极管脚和阴极管脚相互平行，阳极管脚和阴极管脚所形成的平行平面与贴片平面平行。

进一步的，所述贴片平面上的阴极金属引线框架的部分表面的面积大于所需评估的二极管芯片的面积。

进一步的，所述阳极管脚和阴极管脚的长度相同。

本发明所述的用于快速评估快恢复二极管的基座可以在快恢复二极管产品开发期间用来对快恢复二极管芯片直接贴片和打线后进行静态和动态性能评估，大大缩短快恢复二极管的开发周期，降低开发成本。

附图说明

图1为本发明所述用于快速评估快恢复二极管性能的基座的结构示意图。

图2为所述阳极金属引线框架的示意图。

图3为所述阴极金属引线框架的示意图。

图4为图1的A-A剖视图。

图5为图1的B-B剖视图。

图6为图1的C-C剖视图。

图7为图1的D-D剖视图。

图8为本发明所述用于快速评估快恢复二极管性能的基座的应用示意图。

具体实施方式

下面结合具体附图对本发明作进一步说明。

如图1所示，本发明所述用于快速评估快恢复二极管性能的基座包括一个阳极金属引线框架1、一个阴极金属引线框架2和一个耐高温硬质绝缘固定框架3；通过一个耐高温硬质绝缘固定框架3将一个阳极金属引线框架1和一个阴极金属引线框架2固定在一起形成一个整体的基座，阳极金属引线框架1在阴极金属引线框架2左侧。

如图1所示，为了防止阳极金属引线框架1和阴极金属引线框架2之间短路，阳极金属引线框架1和阴极金属引线框架2之间没有直接的接触点，并且阳极金属引线框架1和阴极金属引线框架2之间保持一定的距离。

如图1、图4～图6所示，所述阳极金属引线框架1和阴极金属引线框架2嵌入耐高温硬质绝缘固定框架3内，其中阳极金属引线框架1的部分表面、阴极金属引线框架2的部分表面以及耐高温硬质绝缘固定框架3的部分表面是在同一平面上，称该平面为贴片平面。贴片平面上的阴极金属引线框架2的部分表面的面积可调节使其大于所需评估的二极管芯片的面积。

如图1所示，阳极金属引线框架1和阴极金属引线框架2各有部分露出与耐高温硬质绝缘固定框架3之外，分别形成阳极管脚和阴极管脚，分别对应着图2和图3中下部的闭合图形所示部分。阳极管脚和阴极管脚相互平行，如图7所示，阳极管脚和阴极管脚所形成的平行平面（如图7中A）与贴片平面平行。阳极管脚和阴极管脚长度相同，阳极管脚和阴极管脚之间的距离可根据测试夹具间的距离调节。

如图8所示，本发明在用于快速评估快速二极管时，将快恢复二极管芯片贴片在贴片平面中的阴极金属引线框架2之上，然后通过打线将快恢复二极管的阳极和贴面平面中的阳极金属引线框架1连接后直接进行快恢复二极管静态和动态参数的评估。