多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体二极管领域，特别涉及一种多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管。
【背景技术】
[0002]随着超高压半导体技术的发展，超高压半导体的应用领域也越来越广泛，对超高压半导体二极管的性能要求也越来越高。现有的玻钝硅芯片轴向封装高压二极管均采用单层硅芯片，二极管反向耐压仅能达到2000V，无法满足超高压的要求。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型旨在提供一种采用玻钝硅芯片进行轴向封装而成的超高压二极管，显著提高反向耐压能力。
[0004]为此，本实用新型所采用的技术方案为:一种多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管，包括玻钝硅芯片、两铜引线和环氧塑封体，所述玻钝硅芯片至少为两个，且玻钝硅芯片的小窗口面均朝向同一侧设置，相邻玻钝硅芯片之间设置有铜粒，且铜粒与玻钝硅芯片通过焊料焊接固定，所有玻钝硅芯片组合成多层玻钝硅芯片组，所述多层玻钝硅芯片组的两端分别通过焊料与对应侧的铜引线的内端头焊接，整个超高压二极管除铜引线的外端头外，其余部分均在环氧塑封体内。
[0005]作为上述方案的优选，所述铜粒为圆片，铜粒的直径为玻钝硅芯片的边长的70%，铜粒的厚度为0.08mm。采用圆片形状的铜粒结合焊料进行焊接，焊接后的牢固性更好。
[0006]进一步地，所述铜引线的内侧端设置有铜线凸点，铜线凸点与多层玻钝硅芯片组通过焊料焊接，铜引线的内侧靠近铜线凸点的位置处设置有钉头。
[0007]本实用新型的有益效果是:采用多个玻钝硅芯片焊接组合成玻钝硅芯片组，相比单层硅芯片，承受反向耐压的能力更强，能满足超高压的使用要求。由于玻钝硅芯片小窗口面微微凸出，若直接使用焊料焊接两玻钝硅芯片，可能会导致虚焊，在两个玻钝硅芯片之间增加铜粒进行焊接，以提高焊接牢固性，通过试验验证，增加铜粒焊接的良品率能达到95%以上，而单独采用焊料进行焊接的良品率仅为60 %—70%。
【附图说明】
[0008]图1是本实用新型的透视图。
【具体实施方式】
[0009]下面通过实施例并结合附图，对本实用新型作进一步说明:
[0010]如图1所示，一种多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管，主要由至少两个玻钝硅芯片1、两铜引线2、环氧塑封体3、铜粒4和焊料5组成。
[0011 ] 玻钝硅芯片I至少为两个，可以是三个或更多。玻钝硅芯片I的小窗口面Ia均朝向同一侧设置，相邻玻钝硅芯片I之间设置有铜粒4，铜粒4与玻钝硅芯片I通过焊料5焊接固定。所有玻钝硅芯片I组合成多层玻钝硅芯片组，多层玻钝硅芯片组的两端分别通过焊料5与对应侧的铜引线2的内端头焊接，整个超高压二极管除铜引线2的外端头外，其余部分均在环氧塑封体3内。
[0012]最好是，铜粒4为圆片，铜粒4的直径为玻钝硅芯片I的边长的70%，铜粒4的厚度为
0.08mm。
[0013]另外，铜引线2的内侧端设置有铜线凸点2a，铜线凸点2a与多层玻钝硅芯片组通过焊料5焊接，铜引线2的内侧靠近铜线凸点2a的位置处设置有钉头2b。
【主权项】
1.一种多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管，包括玻钝硅芯片(I)、两铜引线(2)和环氧塑封体(3)，其特征在于:所述玻钝硅芯片(I)至少为两个，且玻钝硅芯片(I)的小窗口面(Ia)均朝向同一侧设置，相邻玻钝硅芯片(I)之间设置有铜粒(4)，且铜粒(4)与玻钝硅芯片(I)通过焊料(5)焊接固定，所有玻钝硅芯片(I)组合成多层玻钝硅芯片组，所述多层玻钝硅芯片组的两端分别通过焊料(5)与对应侧的铜引线(2)的内端头焊接，整个超高压二极管除铜引线(2)的外端头外，其余部分均在环氧塑封体(3)内。2.根据权利要求1所述的多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管，其特征在于:所述铜粒(4)为圆片，铜粒(4)的直径为玻钝硅芯片(I)的边长的70%，铜粒(4)的厚度为0.08_。3.根据权利要求1或2所述的多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管，其特征在于:所述铜引线(2)的内侧端设置有铜线凸点(2a)，铜线凸点(2a)与多层玻钝硅芯片组通过焊料(5)焊接，铜引线(2)的内侧靠近铜线凸点(2a)的位置处设置有钉头(2b)。
【专利摘要】本实用新型公开了一种多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管，包括玻钝硅芯片(1)、两铜引线(2)和环氧塑封体(3)，玻钝硅芯片(1)至少为两个，且玻钝硅芯片(1)的小窗口面(1a)均朝向同一侧设置，相邻玻钝硅芯片(1)之间设置有铜粒(4)，且铜粒(4)与玻钝硅芯片(1)通过焊料(5)焊接固定，所有玻钝硅芯片(1)组合成多层玻钝硅芯片组，所述多层玻钝硅芯片组的两端分别通过焊料(5)与对应侧的铜引线(2)的内端头焊接，整个超高压二极管除铜引线(2)的外端头外，其余部分均在环氧塑封体(3)内。承受反向耐压的能力更强，能满足超高压的使用要求；在两个玻钝硅芯片之间增加铜粒进行焊接，以提高焊接牢固性。
【IPC分类】H01L23/488, H01L25/07
【公开号】CN205211747
【申请号】CN201521099514
【发明人】徐鹏, 钟晓明, 陈亮, 张力
【申请人】重庆平伟实业股份有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月25日