技术编号:12478460
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明构思涉及半导体器件。背景技术静态随机存取存储器(SRAM)可以被分成:六晶体管SRAM(6T-SRAM),包括六个晶体管以构成单位存储器单元;以及具有多个输入/输出端口的多端口SRAM,包括六个或更多晶体管。多端口SRAM可以包括例如两端口SRAM(双端口SRAM)。发明内容根据本发明构思的示例实施方式,一种半导体器件被如下提供。SRAM单元包括设置在衬底上的第一上拉晶体管、第一下拉晶体管和第一传输晶体管。第一读缓冲晶体管被连接到第一上拉晶体管的栅极端子和第一下拉晶体管的栅极端子。第一读缓...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。