技术编号:12478707
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域,尤其涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法。背景技术以IGBT、MOSFET为标志的MOS型半导体功率器件是当今电力电子领域器件的主流,其中最具代表性的器件IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,驱动功率小,兼有金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField...
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