技术编号:12478881
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光通信集成器件领域,具体是涉及一种倒锥型大功率硅锗光电探测器及提高入射光功率的方法。背景技术硅锗光电探测器制作在SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅)晶圆上,具有与硅基光电子工艺兼容、集成度高的优点。目前,传统硅锗光电探测器主要用于探测功率低于5dBm的光,当光功率高于5dBm时,器件出现饱和甚至烧毁的现象。对于微波光子学应用,需要探测的光功率大于5dBm,从而提高光-微波转换效率,减少对微波放大器的需求,降低成本,因此有必要研究一种高功率的硅锗光电探测器。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。