技术编号:12479187
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子技术领域,特别涉及一种AlN薄膜的制备方法,可用于制作极性c面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。技术背景Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,如AlN基、GaN基、InN基等半导体材料,它们的禁带宽度往往差异较大,比如AlN为6.2eV、GaN为3.42eV、InN为0.7eV,因此人们通常利用这些Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料形成各种异质结结构。特别是InGaN材料体系在蓝光LED上取得了巨大的成功,2014年赤崎勇、天野昊和中村修二因为在蓝光LED方面的巨大贡献而获得了诺贝尔物理学奖。此外,A...
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