技术编号:12479330
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于自旋电子技术领域,具体涉及一种多层膜异质结构、其制备方法和在自旋流探测中的应用。背景技术自旋流的产生、输运和探测是近些年来自旋电子学的热门研究课题,在目前的研究方法中自旋霍尔效应,自旋塞贝克效应、自旋泵浦以及局域自旋阀结构等引起了该研究领域人士的广泛关注,而其中的自旋塞贝克效应以其简单的探测机制和便易的实验方法更是受到诸多研究者青睐。对于自旋塞贝克效应的研究,通常有横向(温度梯度在膜面内)和纵向(温度梯度垂直于膜面)两种实验装置,用于研究的样品一般是铁磁/金属双层膜结构,其中底层的铁磁...
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