技术编号:12479341
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体薄膜领域,特别涉及一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及具有该掺杂型InSb薄膜的InSb磁敏元件。背景技术由InSb薄膜制备的InSb磁敏器件具有成本低、高效、灵敏度高的优点,目前已被广泛使用。现有技术中,InSb薄膜中In原子和Sb原子的个数比为1:1,杂质含量较少,在-40~+80℃的工作温度区间内,由于InSb材料的本征载流子浓度随温度变化指数式增加,这会导致InSb磁敏器件的性能产生明显的温度效应,磁敏器件的阻值随工作温度变化,性能不稳定。发明内容本发明的目的是提供一种掺...
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