技术领域
本发明属于半导体薄膜领域，特别涉及一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及具有该掺杂型InSb薄膜的InSb磁敏元件。
背景技术：
由InSb薄膜制备的InSb磁敏器件具有成本低、高效、灵敏度高的优点，目前已被广泛使用。现有技术中，InSb薄膜中In原子和Sb原子的个数比为1:1，杂质含量较少，在-40~+80℃的工作温度区间内，由于InSb材料的本征载流子浓度随温度变化指数式增加，这会导致InSb磁敏器件的性能产生明显的温度效应，磁敏器件的阻值随工作温度变化，性能不稳定。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件，可改善InSb磁敏器件的温度效应，性能稳定。
本发明采用的一种技术方案为：
一种掺杂型InSb薄膜， InSb薄膜内掺杂有Te。
优选地，所述Te的掺杂浓度大于或等于1×1017/cm3。
优选地，所述Te的掺杂源为In-Te合金。
更优选地，所述In-Te合金中Te的含量为1×1019~1×1021/cm3。
优选地，所述InSb薄膜的掺杂杂质由Te组成。
本发明采用的另一技术方案为：
一种掺杂型InSb薄膜的制备方法，采用In源、Sb源、In-Te合金源三个蒸发源，热蒸发制得所述掺杂型InSb薄膜。
优选地，所述In-Te合金中Te的含量为1×1019~1×1021/cm3。
优选地，所述In源的温度为850~950℃，所述Sb源的温度为500~600摄氏度，所述In-Te合金源的温度为550~650摄氏度。
优选地，制得的所述InSb薄膜中Te的掺杂浓度大于或等于1×1017/cm3。
本发明采用的又一技术方案为：
一种具有所述的掺杂型InSb薄膜的InSb磁敏器件。
本发明采用以上方案，相比现有技术具有如下优点：
在InSb薄膜中掺杂杂质Te，Te在InSb中呈明显的施主效应，Te原子将释放出与其替代的Sb原子同等数量的电子，在-40~+80℃的工作温度区间内，掺杂Te原子的InSb薄膜的载流子浓度将不随温度变化，从而改善磁敏器件的温度效应，使其性能较为稳定。
附图说明
附图1为本发明的掺杂型InSb薄膜制备的蒸发示意图。
上述附图中，
1、In源；2、Sb源；3、In-Te合金源；4、InSb薄膜。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域的技术人员理解。本发明中，In指铟原子，Sb指锑原子，Te指碲原子。
本实施例提供一种掺杂型InSb薄膜以及具有这种掺杂型InSb薄膜的InSb磁敏器件，该InSb薄膜内掺杂有Te作为施主杂质，所述Te的掺杂浓度大于或等于1×1017/cm3。实验证明，杂质Te在InSb中呈明显的施主效应，Te原子替代Sb原子后将释放出同等数量的电子。由于该InSb薄膜中Te施主杂质的浓度等于或高于1×1017/cm3，因而在-40~+80℃的工作温度区间内，该InSb薄膜中的载流子浓度将不随随度变化，从而改善InSb薄膜以及由该薄膜制备的InSb磁敏器件，性能较为稳定。
其中，所述Te的掺杂源为In-Te母合金。In-Te母合金中Te的含量为1×1019~1×1021/cm3，优选为1×1020/cm3左右。
所述InSb薄膜的掺杂杂质由Te组成，即该InSb薄膜中仅掺杂Te，而不包含其它杂质。
所述掺杂型InSb薄膜的制备方法，包括：采用In源1、Sb源2、In-Te合金源3作为三个蒸发源，热蒸发制得所述掺杂型InSb薄膜4，如附图1所示。配置In-Te合金作为杂质蒸发源（InTe合金源），且其中Te的含量为1×1019~1×1021/cm3，优选为1×1020/cm3左右。
所述In源的温度为850~950℃，所述Sb源的温度为500~600摄氏度，所述In-Te合金源的温度为550~650摄氏度。通过测厚仪精确控制In源、Sb源以及In-Te合金源的蒸发速率。
制得的所述InSb薄膜中Te的掺杂浓度大于或等于1×1017/cm3。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，是一种优选的实施例，其目的在于熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限定本发明的保护范围。凡根据本发明的精神实质所作的等效变换或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。