一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件与流程

技术特征：

1.一种掺杂型InSb薄膜，其特征在于：InSb薄膜内掺杂有Te。

2.根据权利要求1所述的掺杂型InSb薄膜，其特征在于：所述Te的掺杂浓度大于或等于1×10¹⁷/cm³。

3.根据权利要求1所述的掺杂型InSb薄膜，其特征在于：所述Te的掺杂源为In-Te合金。

4.根据权利要求3所述的掺杂型InSb薄膜，其特征在于：所述In-Te合金中Te的含量为1×10¹⁹~1×10²¹/cm³。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的掺杂型InSb薄膜，其特征在于：所述InSb薄膜的掺杂杂质由Te组成。

6.一种掺杂型InSb薄膜的制备方法，其特征在于：采用In源、Sb源、In-Te合金源三个蒸发源，热蒸发制得所述掺杂型InSb薄膜。

7.根据权利要求6所述的掺杂型InSb薄膜的制备方法，其特征在于：所述In-Te合金中Te的含量为1×10¹⁹~1×10²¹/cm³。

8.根据权利要求6所述的掺杂型InSb薄膜的制备方法，其特征在于：所述In源的温度为850~950℃，所述Sb源的温度为500~600摄氏度，所述In-Te合金源的温度为550~650摄氏度。

9.根据权利要求6-9中任一项所述的掺杂型InSb薄膜的制备方法，其特征在于：制得的所述InSb薄膜中Te的掺杂浓度大于或等于1×10¹⁷/cm³。

10.一种具有如权利要求1-4中任一项所述的掺杂型InSb薄膜的InSb磁敏器件。