技术编号：12489398
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子电路领域，具体涉及一种具有抗电磁干扰性能的放大器。背景技术在穿戴式智能电子产品、生物医学微纳器件、植入式脑机交互微机系统中，低电压低功耗放大器是关键。为芯片长时间续航等要求，需要设计具有良好性能的低电压低功耗放大器。目前低电压放大器技术中，衬底输入技术由于其宽输入摆幅、适于在极低电压下工作等优点已被低电压设计广泛采用。但是，传统的衬底输入放大器中的衬底输入MOS晶体管的等效跨导通常比同等条件下栅驱动晶体管的跨导低得多，进而导致低截止频率、低DC增益、低信噪比等性能劣化。由于电磁敏感...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。