技术编号：12514057
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。背景技术与硅半导体相比，碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和金刚石等宽带隙半导体(带隙比硅(silicon：Si)半导体宽的半导体)具有绝缘击穿电场强度高、热导率高等优良特点，因此特别期待在功率器件方面的应用。尤其是其中的碳化硅半导体，与硅半导体相比，碳化硅半导体能够减小与绝缘击穿电场强度成反比的导通电阻，因此，近年来作为最适于低损耗的功率器件的半导体备受瞩目。此外，碳化硅半导体与硅半导体相同，可以在碳化硅半导体基板(使用碳化硅半导体的...
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