技术编号:12609597
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,特别涉及一种静态随机存储单元。背景技术如图1所示,在传统的6T(6Transistor,6个晶体管)SRAM(StaticRandomAccessMemory,静态随机存取存储器)中,包括第一反相器11、第二反向器12、写传输晶体管13、读传输晶体管14。其中第一反相器11的输入端与第二反相器12的输出端电连接,第一反相器11的输出端与第二反相器12的输入端电连接。写传输晶体管13的控制电极与写字线WWL电连接,写传输晶体管13的第一电流传导电极与写位线WBL电连接,写传输...
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