技术编号:12609612
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子技术领域,具体涉及一种静态随机存储器。背景技术图1所示为静态随机存储器(StaticRandomAccessMemory,SRAM)中最常见的由六个晶体管组成的SRAM存储单元,当节点N1电压为高而节点N0电压为低时,该存储单元中存储的值称为逻辑1,反之为逻辑0。当需要改写SRAM存储单元中存储的数据,例如将存储的值1改写为0时,相应的操作步骤为:首先将字线WL(WordLine)充电为高电压(一般等于电源电压VDD),将位线BL(BitLine)电压由电源电压VDD下拉为地电压V...
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