技术编号:12612541
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及半导体领域,更具体地,涉及多栅极器件及其制造方法。背景技术电子工业已经经历了对于更小和更快电子器件的不断增大的需求,这些更小和更快电子器件能够同时支持更多、更为复杂和先进的功能。因此,在半导体工业存在制造低成本、高性能和低功耗的集成电路(IC)的持续的趋势。迄今为止,这些目标大部分已经通过按比例缩小半导体IC尺寸(例如,最小化特征尺寸)以及因此提高制造效率和减小相关成本而实现。然而,这样的按比例缩小使半导体制造工艺的复杂性加大。因此,在半导体IC和器件中的持续的进步的实现要求在半导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。